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总建筑面积为43038.51 平方米中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备创新大楼建设项目 (进展1)

2024-01-18 施工单位(主体工程)招标

项目描述

项目描述 本项目新建半导体装备创新大楼,用地面积18897㎡,大楼占地面积约8675.16㎡,总建筑面积43038.51㎡,建筑主体总高度不超过24m。地上五层,建筑面积约30352.18㎡(其中洁净生产区3层,包含洁净厂房面积约3600㎡,万级洁净区:1343.88㎡;千级洁净区:591㎡;百级洁净区(具备局部改造为十级的条件):753.9㎡;十级洁净区(具备局部改造为一级的条件):318.61㎡),地下一层,建筑面积约12686.33㎡。配套建设大宗气站建筑面积167.96㎡,危化品仓库建筑面积294.4㎡,门房建筑面积30㎡。
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跟进记录

更新日期 跟进阶段 跟进沟通细节
2024-01-18 跟进1 登录注册后查看
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项目详情

工程类型: 登录注册后查看 大型项目 登录注册后查看
项目类别
开工日期 ****年**月 竣工日期 ****年**月
建筑面积 43038.51 平方米 占地面积 18897 平方米
预计成本 暂未确定 建筑层数 登录注册后查看
业主类型 商业 外资参与 登录注册后查看
外墙材料 登录注册后查看 钢结构 登录注册后查看
装修情况 登录注册后查看 电梯情况 登录注册后查看
空调情况 登录注册后查看 供暖方式 登录注册后查看

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