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新建北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地工程 (进展3)

2020-07-22 主体工程中标/开工 7 亿

项目描述

项目描述 该项目占地面积为33687平方米,包括:*新建厂房、中试车间、宿舍楼、化学品库、配套设施
项目地址 登录注册后查看
开工日期 登录注册后查看
竣工日期 登录注册后查看

跟进记录

更新日期 跟进阶段 跟进沟通细节
2020-07-22 跟进3 登录注册后查看
2020-07-22 跟进3 登录注册后查看
2020年07月08日 跟进2 登录注册后查看
2020年06月25日 跟进1 登录注册后查看

项目详情

工程类型: 登录注册后查看 大型项目 登录注册后查看
项目类别 登录注册后查看
开工日期 ****年**月 竣工日期 ****年**月
建筑面积 暂未确定 占地面积 33687 平方米
预计成本 7 亿 建筑层数 登录注册后查看
业主类型 商业 外资参与 登录注册后查看
外墙材料 登录注册后查看 钢结构 登录注册后查看
装修情况 登录注册后查看 电梯情况 登录注册后查看
空调情况 登录注册后查看 供暖方式 登录注册后查看

项目地址

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