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总建筑面积为300000 平方米 三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片二期项目(装配式建筑) (进展1)

2018-04-26 主体工程中标/开工 9 亿

项目描述

项目描述 该项目占地面积为536,000平方米,总建筑面积为300,000平方米,包括:
*生产厂房(Fab)
*测试厂房(EDS)
*GCS特气化配厂房
*UT栋用房
*仓库
*动力站
*化学品库
*固废储存场所
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开工日期 登录注册后查看
竣工日期 登录注册后查看

跟进记录

更新日期 跟进阶段 跟进沟通细节
2018-04-26 跟进1 登录注册后查看
2018-04-26 跟进1 登录注册后查看

项目详情

工程类型: 登录注册后查看 大型项目 登录注册后查看
项目类别 登录注册后查看
开工日期 ****年**月 竣工日期 ****年**月
建筑面积 300000 平方米 占地面积 536000 平方米
预计成本 9 亿 建筑层数 登录注册后查看
业主类型 商业 外资参与 登录注册后查看
外墙材料 登录注册后查看 钢结构 登录注册后查看
装修情况 登录注册后查看 电梯情况 登录注册后查看
空调情况 登录注册后查看 供暖方式 登录注册后查看

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